Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，能夠在操作中被多次擦或?qū)懀€可以快速的讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)點(diǎn)），使數(shù)據(jù)不會在斷電時丟失。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為存儲設(shè)備，但近年來Flash已經(jīng)全面替代了ROM（EPROM），用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。

flash存儲器的分類

根據(jù)內(nèi)部架構(gòu)和實(shí)現(xiàn)技術(shù)，F(xiàn)lash存儲器可以分為AND、NAND、NOR和NiNOR四種，目前占據(jù)主流市場的就是NOR Flash和NAND Flash兩大類。

1、NOR Flash

NOR Flash是一種由Intel公司于1988年創(chuàng)建的非易失閃存技術(shù)。它將存儲單元組織為塊序列，能夠以字節(jié)為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問，以并行的方式連接存儲單元，具有分離的控制線、地址線和數(shù)據(jù)線，具有較快的讀速度，能夠提供片上執(zhí)行的功能。且其傳輸效率很高，在1-4MB的小容量時具有很高的成本效益，所以一般小容量的存儲都選用NOR Flash會更為合適。但由于其寫操作和擦除操作的時間較長，容量低，價(jià)格高，所以目前多用于手機(jī)、BIOS芯片以及嵌入式系統(tǒng)中頁進(jìn)行代碼存儲。

2、NAND Flash

NAND Flash是由東芝公司于1989年發(fā)布的，內(nèi)部采用線性宏單元模式，一個塊通常包括32頁，64頁，128頁，頁大小通常為512B，2KB，4KB，每個頁包含數(shù)據(jù)區(qū)和帶外區(qū)兩部分，數(shù)據(jù)區(qū)存儲用戶數(shù)據(jù)，帶外區(qū)存儲 ECC（erro rcorrecting codes），地址映射信息等用于Flash 存儲管理的信息，對應(yīng)的大小通常為512B，32B，2KB，64B , 4KB，128B。
 

1、優(yōu)點(diǎn)

（1）在不掉電的情況下長期保持存儲的信息

（2）在斷電時，數(shù)據(jù)不會丟失

（3）高存取速度，低功耗，易于擦除和重寫

2、缺點(diǎn)

（1）存儲容量不夠大

（2）價(jià)格偏高
 

從Flash存儲器的基本特點(diǎn)可以看出，在單片機(jī)中，可以利用Flash存儲器固化程序，一般情況下通過編程器來完成，F(xiàn)lash存儲器工作于這種情況，叫監(jiān)控模式（Monitor Mode）或?qū)懭肫髂Ｊ剑@與一般的EPROM、OTP、EEPROM裝入程序的含義相似。另一方面，由于Flash存儲器具有電可擦除功能，因此，在程序運(yùn)行過程中，有可能對Flash存儲區(qū)的數(shù)據(jù)或程序進(jìn)行更新，F(xiàn)lash存儲器工作于這種情況，叫用戶模式（User Mode）或在線編程模式。